[发明专利]具有屏蔽栅的LDMOS结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201010576679.0 | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102569381A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 金勤海;刘春玲;王鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有屏蔽栅的LDMOS结构，为在LDMOS器件的漂移区上设置有屏蔽栅，屏蔽栅与LDMOS器件的控制栅部分重叠，该屏蔽栅与控制栅和漂移区之间均通过绝缘层隔离。本发明的LDMOS结构，有效降低了栅漏之间的寄生电容。本发明还公开了一种具有屏蔽栅的LDMOS结构的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 屏蔽 ldmos 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有屏蔽栅的LDMOS结构，其特征在于：在LDMOS器件的漂移区上设置有屏蔽栅，所述屏蔽栅的一部分与所述LDMOS器件的控制栅一部分重叠，且所述屏蔽栅的部分位于所述控制栅之上，该屏蔽栅与所述控制栅和所述漂移区之间均通过绝缘层隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010576679.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
