[发明专利]喷头及用于制造具有该喷头的半导体基板的装置无效
| 申请号: | 201010570947.8 | 申请日: | 2010-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN102242351A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
| 发明(设计)人: | 柳钟贤;朴根佑;李诚宰;罗润柱;李在寅;姜洙浩 | 申请(专利权)人: | 塔工程有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C30B25/14 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 田军锋;王婧 |
| 地址: | 韩国庆尚*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 提供了一种能够通过形成用于多种反应气体以使其并不彼此妨碍的多个反应气体流动路径并将这多个气体流动路径与板集成形成而简单制造并组装的喷头,以及一种用于利用该喷头制造半导体基板的装置。本发明的示例性实施方式提供了一种喷头,其包括:上台板,其具有在其上形成的多个第一上部气体路径;中台板,其具有多个在对应于第一上部气体路径的位置处的第一下部气体路径和具有并不妨碍第一下部气体路径的结构的第二气体路径,并且第一上部气体路径的下端安装在该中台板上;以及下台板,其具有在对应于第一下部气体路径及第二气体路径的位置处形成在下台板中的多个通孔,第一上部气体路径的下端和第二气体路径的下端安装在该下台板上。 | ||
| 搜索关键词: | 喷头 用于 制造 具有 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种喷头,所述喷头包括:上台板,所述上台板具有多个在所述上台板上形成的第一上部气体路径;中台板,所述中台板具有多个第一下部气体路径和多个第二气体路径,所述多个第一下部气体路径处于对应于所述第一上部气体路径的位置处,所述多个第二气体路径具有并不妨碍所述第一下部气体路径的结构,并且所述第一上部气体路径的下端安装在所述中台板上;以及下台板,所述下台板具有多个通孔,所述通孔在对应于所述第一下部气体路径和所述第二气体路径的位置处形成在所述下台板中,并且所述第一下部气体路径的下端和所述第二气体路径的下端安装在所述下台板上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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