[发明专利]制备多孔材料内壁薄膜的原子层沉积方法及其设备无效

专利信息
申请号: 201010570385.7 申请日: 2010-11-26
公开(公告)号: CN102477544A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 郭敏;吴东;陈宇林;高洁;王东君 申请(专利权)人: 英作纳米科技(北京)有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/455
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 张颖玲;迟姗
地址: 100098 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种制备多孔材料内壁薄膜的原子层沉积方法,包括:将多孔材料样品设置在反应腔体中,对反应腔体进行真空处理;向多孔材料样品的一端交替脉冲通入不同的前驱体,所述前驱体发生反应,形成沉积在多孔材料样品内壁的薄膜,去除多余的前驱体和反应副产物;向多孔材料样品的另一端交替脉冲通入不同的前驱体,所述前驱体发生反应,形成沉积在多孔材料样品内壁的薄膜,去除多余的前驱体和反应副产物;重复上述步骤,直至沉积所需厚度的薄膜。本发明还公开了一种使用上述方法制备多孔材料内壁薄膜的原子层沉积设备。使用本发明的原子层沉积方法及其设备,能够提高多孔材料原子层沉积薄膜厚度的均匀性,进而实现批量化生产。
搜索关键词: 制备 多孔 材料 内壁 薄膜 原子 沉积 方法 及其 设备
【主权项】:
一种制备多孔材料内壁薄膜的原子层沉积方法,其特征在于,包括:步骤S10:将多孔材料样品设置在反应腔体中,对所述反应腔体进行真空处理;步骤S20:向所述多孔材料样品的一端交替脉冲通入不同的前驱体,所述前驱体发生反应,形成沉积在所述多孔材料样品内壁的薄膜,去除多余的前驱体和反应副产物;步骤S30:向所述多孔材料样品的另一端交替脉冲通入不同的前驱体,所述前驱体发生反应,形成沉积在所述多孔材料样品内壁的薄膜,去除多余的前驱体和反应副产物;步骤S40:重复所述步骤S20和步骤S30,直至沉积所需厚度的薄膜。
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