[发明专利]制备多孔材料内壁薄膜的原子层沉积方法及其设备无效
| 申请号: | 201010570385.7 | 申请日: | 2010-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN102477544A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
| 发明(设计)人: | 郭敏;吴东;陈宇林;高洁;王东君 | 申请(专利权)人: | 英作纳米科技(北京)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 张颖玲;迟姗 |
| 地址: | 100098 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种制备多孔材料内壁薄膜的原子层沉积方法,包括:将多孔材料样品设置在反应腔体中,对反应腔体进行真空处理;向多孔材料样品的一端交替脉冲通入不同的前驱体,所述前驱体发生反应,形成沉积在多孔材料样品内壁的薄膜,去除多余的前驱体和反应副产物;向多孔材料样品的另一端交替脉冲通入不同的前驱体,所述前驱体发生反应,形成沉积在多孔材料样品内壁的薄膜,去除多余的前驱体和反应副产物;重复上述步骤,直至沉积所需厚度的薄膜。本发明还公开了一种使用上述方法制备多孔材料内壁薄膜的原子层沉积设备。使用本发明的原子层沉积方法及其设备,能够提高多孔材料原子层沉积薄膜厚度的均匀性,进而实现批量化生产。 | ||
| 搜索关键词: | 制备 多孔 材料 内壁 薄膜 原子 沉积 方法 及其 设备 | ||
【主权项】:
一种制备多孔材料内壁薄膜的原子层沉积方法,其特征在于,包括:步骤S10:将多孔材料样品设置在反应腔体中,对所述反应腔体进行真空处理;步骤S20:向所述多孔材料样品的一端交替脉冲通入不同的前驱体,所述前驱体发生反应,形成沉积在所述多孔材料样品内壁的薄膜,去除多余的前驱体和反应副产物;步骤S30:向所述多孔材料样品的另一端交替脉冲通入不同的前驱体,所述前驱体发生反应,形成沉积在所述多孔材料样品内壁的薄膜,去除多余的前驱体和反应副产物;步骤S40:重复所述步骤S20和步骤S30,直至沉积所需厚度的薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





