[发明专利]相变存储器的制作方法有效
| 申请号： | 201010568382.X | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479924A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 任万春;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种相变存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有互连结构和底部电极，所述互连结构与所述层间介质层齐平，所述底部电极上方覆盖有部分所述层间介质层；在所述层间介质层内形成开口，所述开口露出所述底部电极；在所述层间介质层以及所述开口的侧壁和底部形成绝缘层；进行等离子体刻蚀工艺，去除所述开口的底部的绝缘层，露出下方的底部电极；在开口内形成相变层；去除位于所述层间介质层表面的绝缘层。本发明提高了相变存储器的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有互连结构和底部电极，所述互连结构与所述层间介质层齐平，所述底部电极上方覆盖有部分所述层间介质层；在所述层间介质层内形成开口，所述开口露出所述底部电极；在所述层间介质层以及所述开口的侧壁和底部形成绝缘层；进行等离子体刻蚀工艺，去除所述开口的底部的绝缘层，露出下方的底部电极；在开口内形成相变层；去除位于所述层间介质层表面的绝缘层。
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