[发明专利]一种晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201010568303.5 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102130009A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张盛东;贺鑫;王龙彦 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;G03F7/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双栅结构的薄膜晶体管的制造方法，晶体管的有源区和顶栅电极采用透明薄膜材料，在光刻涂胶时，在形成顶栅电极的透明导电薄膜表面涂布光刻胶；光刻曝光时，从衬底的背面进行曝光；经光刻显影后，在导电薄膜的表面形成与底栅电极正对的光刻胶图形；根据所述光刻胶图形刻蚀导电薄膜形成与底栅电极正对顶栅电极。上述方法形成的双栅薄膜晶体管提高采用底栅电极作为天然的掩膜板，节约了晶体管的制造成本，并且提高了顶栅电极和底栅电极的对准精度，增强了双栅结构薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：步骤A，在衬底的正面依次形成底栅电极、有源区和导电薄膜；步骤B，光刻涂胶时，在所述导电薄膜上涂布光刻胶，光刻曝光时，从所述衬底的背面进行曝光；步骤C，根据步骤B中光刻后形成的光刻胶图形刻蚀所述导电薄膜形成顶栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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