[发明专利]硅钙合金的制备方法有效

专利信息
申请号: 201010567274.0 申请日: 2010-12-01
公开(公告)号: CN101979715A 公开(公告)日: 2011-02-23
发明(设计)人: 汪的华;朱华;甘复兴;林安 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: C25C3/36 分类号: C25C3/36
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430072*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种硅钙合金的制备方法:将30-100wt%硅石粉或/和CaSiO3粉末与0-70wt%的石灰石粉或/和生石灰混合,制成多孔生胚,于700-1200oC高温烧结成型,然后装入金属篮框中作为阴极,置于800-950oC的氯化钙熔盐中,以石墨或惰性材料为阳极进行电解;电解产物经真空熔炼,实现与熔盐的分离,得到硅钙合金。本发明方法,将固态还原与电沉积结合制备硅钙合金,具有操作温度低、原料廉价易得、产品纯度高、钙含量和产品组成可调的特点。可通过恒流或恒压电解、易于实现连续生产、电流效率高,可显著降低硅生产能耗和成本。
搜索关键词: 合金 制备 方法
【主权项】:
一种硅钙合金的制备方法,其特征在于:将30‑100wt%硅石粉或/和CaSiO3粉末与0‑70wt%的石灰石粉或/和生石灰混合,制成多孔生胚,于700‑1200oC高温烧结成型,然后装入金属篮框中作为阴极,置于800‑950oC的氯化钙熔盐中,以石墨或惰性材料为阳极进行电解;电解产物经真空熔炼,实现与熔盐的分离,得到硅钙合金。
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