[发明专利]一种CuInS2-ZnS/ZnSe/ZnS核壳结构半导体量子点的制备方法及其在发光器件中的应用无效
| 申请号： | 201010567111.2 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102086396A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 谭占鳌;张文庆;杨勇平 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/62;C09K11/02;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 童晓琳 |
| 地址： | 102206 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于半导体量子点的制备方法技术领域的一种CuInS2-ZnS/ZnSe/ZnS核壳结构半导体量子点的制备方法及其在发光器件中的应用。将铜源、锌源、铟源和硫源的前躯体溶解于非极性混合溶剂中，在一定温度下成核生长，得到CuInS2-ZnS合金核ZCIS，再向溶液中交替加入锌源和硒源，在核上外延生长ZnSe，然后再外延生长ZnS，制得CuInS2-ZnS/ZnSe/ZnS结构量子点，最后向溶液中加入极性溶剂，沉降、离心、清洗、真空干燥得到固体量子点粉末。本发明得到的量子点尺寸为2-8纳米，粒径均匀，发光波长可调节，产率高。以该量子点为发光材料，制备的红、黄、绿颜色的量子点发光器件，表现出优异的发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cuins sub zns znse 结构 半导体 量子 制备 方法 及其 发光 器件 中的 | ||
【主权项】：
一种CuInS2‑ZnS/ZnSe/ZnS核壳结构半导体量子点的制备方法，其特征在于：所述的CuInS2‑ZnS/ZnSe/ZnS核壳结构半导体量子点含CuInS2‑ZnS合金核和ZnSe/ZnS双层壳结构，其制备方法包括以下步骤：(a)将铜盐、铟盐和硫化锌前躯体加入装有非极性有机溶剂的反应容器中，然后通入惰性气体排除容器中的空气，加热条件下反应，得到均匀的CuInS2‑ZnS合金结构胶体溶液；(b)向步骤(a)得到的胶体溶液中依次加入锌的前躯体和硒的前躯体，加热条件下反应，得到CuInS2‑ZnS/ZnSe单层壳结构量子点胶体溶液；(c)向步骤(b)所得胶体溶液中加入ZnS前躯体，加热条件下反应，得到CuInS2‑ZnS/ZnSe/ZnS双层壳结构的量子点胶体溶液；(d)向步骤(c)所得胶体溶液中加入烷基硫醇，进行配体交换；(e)向步骤(d)所得的胶体溶液中加入极性溶剂，沉降、离心、清洗、真空干燥，得到CuInS2‑ZnS/ZnSe/ZnS双层壳的核壳结构量子点粉末。
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