[发明专利]玻基立体光双面结广谱响应合金电子共振发射光电池无效
| 申请号: | 201010566927.3 | 申请日: | 2010-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN102468350A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
| 发明(设计)人: | 李映华 | 申请(专利权)人: | 李映华 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0264;H01L31/0352;H01L31/0687 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 510631 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明创造的目的是提供一种能够把太阳光不同波段能量有效转变为电能,从而大大提高太阳能光电池光电转换效率的关键技术。本专利技术的主要特征,就是用导电玻璃为基片,在传统光电池P-N结层面上增设一层光电转换载体,这种载体,称为《广谱响应合金电子共振发射层》。这一层由三种以上合金组成(包括各种有色金属和稀有金属)。可利用太阳光从紫外线、可见光至红外光宽广波段能量。据理论计算,只要结构完善,光电池单面光电转换可达90%以上。本发明创造所述光电池,由1、2两片导电玻璃,3、4抗反射膜,5、6引出电极,7、8硅膜n-p层,9、10硅膜p-n层,11广谱合金,12硅膜(下基片),13铟锡氧化物导电膜(上基片)构成。引出电极可以是金属网栅电极、银栅电极或透明导电材料。广谱合金由有色金属和稀有金属按光谱吸收需要配备组分。2、4、6、9、10、13为上基片结构;1、3、5、7、8、11、12为下基片结构。 | ||
| 搜索关键词: | 立体 双面 广谱 响应 合金 电子 共振 发射 光电池 | ||
【主权项】:
一种以导电玻璃为基板,名为玻基立体光双面结广谱响应合金电子共振发射光电池,由上下导电玻璃基片、分别为硅膜P‑N结和硅膜N‑P结、合金电子共振发射层、晶体介电层、引出电极构成。其特征在于:1、正反两面光照都可转换为电源(利用了本人结构新型专利、专利号ZL 02227797.8名为立体光双面结光电池技术);2、电池P‑N结层面上为广谱响应合金层和晶体介电层。这一层面,根据本人发现的光谱规律《原子光谱与李氏台格律》中关于电子所在轨道与其吸收光谱相对应的新结论,通过光谱响应需要,配备对应共振吸收材料,去利用各种波长的紫外线、可见光和红外光(利用了本人结构新型专利、专利号ZL 200420093903.0名为广谱响应合金电子共振发射光电池技术)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





