[发明专利]一种监控密闭腔室温度的方法无效
| 申请号： | 201010566599.7 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102479731A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 韩昊;王林娜;黄文 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 南毅宁;周建秋 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明针对现有密闭腔室温度监控方法中存在的操作不便捷和不能实时监控的缺点，提供了一种监控密闭腔室温度的方法，能够便捷实时地监控密闭腔室的温度。一种监控密闭腔室温度的方法，该方法包括：对经过离子注入的硅片的损伤值进行测量；将所述硅片放入密闭腔室中进行快速热回火处理；从所述密闭腔室中取出快速热回火处理后的硅片；对快速热回火处理后的硅片的损伤值进行测量；根据快速热回火处理前后所述硅片的损伤值的变化率以及损伤值的变化率与温度的对应关系，确定所述密闭腔室的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监控 密闭 温度 方法 | ||
【主权项】：
一种监控密闭腔室温度的方法，该方法包括：对经过离子注入的硅片的损伤值TW1进行测量；将所述硅片放入密闭腔室中进行快速热回火处理；从所述密闭腔室中取出快速热回火处理后的硅片；对快速热回火处理后的硅片的损伤值TW2进行测量；根据快速热回火处理前后所述硅片的损伤值的变化率以及损伤值的变化率与温度的对应关系，确定所述密闭腔室的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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