[发明专利]具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为：将基底材料放入反应室加热至100ºC～500ºC；将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托～10托压力下通入反应室，时间为0.2秒～5秒；将氮气或惰性气体通入反应室，以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体；在0.1托～10托压力下，将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室，时间为0.2秒～5秒，在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积，并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm～100nm；以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源，取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体，重复上述，在氧化铝层上覆盖二氧化硅层；二氧化硅层的厚度为2nm～100nm；最终得到一个厚度为5～120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度，薄膜厚度可以在1～100nm直接精确可控，并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。

主权项

一种具有多层复合无机防护膜的基底材料制备方法，其特征在于该方法的具体步骤为：a.将基底材料进行预处理并放入反应室，将反应室温度加热至100ºC～500ºC；b.将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托～10托压力下通入反应室，时间为0.2秒～5秒；c.将氮气或惰性气体通入反应室，以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体；d.在0.1托～10托压力下，将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室，时间为0.2秒～5秒，使被基底吸附的三甲基铝分子与臭氧或水蒸汽发生反应，形成一层氧化铝原子层的沉积；e.再将氮气或者惰性气体通入反应室，以清除未发生反应的臭氧或水蒸汽以及所述反应的副产物；f.重复步骤b～e，使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm～100nm；g.以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源，取代步骤b～f中的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体，重复步骤b～f，在氧化铝层上覆盖二氧化硅层；二氧化硅层的厚度为2nm～100nm；最终得到一个厚度为5～120nm的具有Al2O3/ SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。