[发明专利]LED外延片的制备方法及装置有效
| 申请号： | 201010563102.6 | 申请日： | 2010-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102074624A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 梁秉文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LED外延片的制备方法及装置。该方法是在对衬底基片加热以生长单晶薄膜的过程中，向衬底基片局部施加与导致该衬底基片局部翘曲的力方向相反的压力，使衬底基片保持平整状态。该方法是通过一固定机构实现的。本发明可有效消除蓝宝石晶片等衬底基片在高温条件下的翘曲现象，并令厚度较小的衬底基片可直接用于外延生长，从而节约了衬底材料以及避免了常规的减薄等操作，进而大幅降低了LED外延片的制造成本，并有效提高了LED外延片的生产效率和产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种LED外延片的制备方法，其特征在于，该方法中，在对衬底基片加热以生长单晶薄膜的过程中，对衬底基片局部施加与导致该衬底基片局部翘曲的力方向相反的压力，使衬底基片保持平整状态。
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