[发明专利]一种能增强横向电流扩展的发光二极管无效
| 申请号： | 201010558741.3 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102479903A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 吴东海 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种能增强横向电流扩展的发光二极管，涉及光电技术领域。本发明包括基板以及置于基板上方的依次由N型半导体层、发光层和P型半导体层相叠加组成的发光结构。发光结构上方为透明导电层，透明导电层上的一端置有P型电极，N型半导体层上、与P型电极相对的另一端置有N型电极。其结构特点是，所述透明导电层采用能增强电流的横向扩展并使电流密度的分布更加均匀的经线和纬线相互交织的网状结构。同现有技术相比，本发明采用网状结构的透明导电层来增强电流的横向扩展，从而避免发光二极管的电流分散路径过于集中、确保器件的工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 横向 电流 扩展 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种能增强横向电流扩展的发光二极管，它包括基板(11)以及置于基板(11)上方的依次由N型半导体层(121)、发光层(122)和P型半导体层(123)相叠加组成的发光结构(12)，发光结构(12)上方为透明导电层(13)，透明导电层(13)上的一端置有P型电极(142)，在N型半导体层(121)上、与P型电极(142)相对的另一端置有N型电极(141)；其特征在于，所述透明导电层(13)采用能增强电流的横向扩展并使电流密度的分布更加均匀的经线和纬线相互交织的网状结构。
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