[发明专利]保护层及薄膜晶体管矩阵基板的制造方法有效
| 申请号： | 201010557575.5 | 申请日： | 2010-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102097313A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 贺成明;刘凤举 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广东国晖律师事务所 44266 | 代理人： | 欧阳启明 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种保护层及薄膜晶体管矩阵基板的制造方法。此保护层的制造方法包括如下步骤：放置基板于真空反应腔室内；提供氨气与氮气至真空反应腔室内；形成等离子并蒸发水汽；以及形成保护层于基板上。此保护层的制造方法可应用于薄膜晶体管矩阵基板的制造方法中，本发明可确保此保护层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 保护层 薄膜晶体管 矩阵 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种保护层的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括如下步骤：放置基板于真空反应腔室内；提供氨气与氮气至所述真空反应腔室内；施加电压于所述真空反应腔室内的二个电极之间，以形成等离子并蒸发水汽；以及形成所述保护层于所述基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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