[发明专利]在微米级颗粒上通过磁控溅射镀易氧化薄膜的方法无效
| 申请号: | 201010557401.9 | 申请日: | 2010-11-24 |
| 公开(公告)号: | CN101974730A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
| 发明(设计)人: | 袁国亮;徐锋;杜宇雷;陈光 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 朱显国 |
| 地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种在微米级颗粒上通过磁控溅射镀易氧化薄膜方法,本发明使用真空腔、真空系统、磁控溅射镀膜系统、振动筛及电源等设备,完成粉体的分散、易氧化薄膜在超低氧分压下的生长及封装,最终得到镀过易氧化薄膜的微米级颗粒。微米级颗粒通过一定的工艺在其表面镀有单层或几层复合薄膜,使它既有原组成材料的性质,又具有镀层材料的一些特性,因而在各行各业中都将有着广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词: | 微米 颗粒 通过 磁控溅射 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种在微米级颗粒上通过磁控溅射镀易氧化薄膜的方法,其特征在于:使用真空腔、抽真空系统、磁控溅射镀膜系统、振动筛及电源,完成粉体的分散、易氧化薄膜在超低氧分压下的生长及封装,最终得到镀过易氧化薄膜的微米级颗粒;具体步骤如下:第一步:首先将所需生长的粉体原料连带包装放入真空腔内;第二步:对真空腔抽真空,同时向其内部充入氩气或氮气,降低真空腔内氧分压,一段时间后,打开粉体颗粒包装;第三步:在磁控溅射镀膜系统靶架上安装好所需靶材;第四步:关闭真空腔,使用抽真空系统对整个真空腔抽真空;第五步:向真空腔中充入氩气;第五步:打开振动筛的振动电机,调节电机转速及超声波振动功率;第六步:打开溅射靶材开始溅射,溅射一段时间后关闭溅射电源停止溅射;第七步:向真空腔中充入氩气或氮气,使其内部气压达到一个大气压;第八步:打开真空腔内部舱门,利用手套将粉体颗粒取出,同时在真空腔内部封装,保证镀膜不与空气接触,防止粉体颗粒镀层被氧化。
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