[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法有效

申请号：	201010557063.9	申请日：	2010-11-12
公开（公告）号：	CN102097347A	公开（公告）日：	2011-06-15
发明（设计）人：	金冈卓;米谷统多	申请（专利权）人：	瑞萨电子株式会社
主分类号：	H01L21/60	分类号：	H01L21/60;H01L23/00;H01L21/66;C25D21/14;C25D3/48
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	王茂华;董典红
地址：	日本神***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明涉及半导体集成电路器件的制作方法。当在保证如无光泽性质和形状平坦度的通常需要的性质的同时通过电解电镀大规模生产相对硬的Au凸块电极时，将自行选择如低液体温度、高电流密度和作为辅助剂的添加Tl(铊)的低浓度的条件的组合。然而在这样的条件下，问题在于难以维持电镀溶液中的Tl浓度并且当Tl浓度减少时因异常沉积而生成Au凸块电极的缺陷外观。常规上仍没有直接监测微小Tl浓度的手段且已经通过定期分析电镀溶液控制Tl浓度。然而这不能防止生成大量缺陷产品。本申请的发明涉及在根据半导体集成电路器件的制造方法使用基于非氰的电镀溶液通过电解Au电镀来形成凸块电极时通过监测向电镀溶液施加的电压来检测电镀溶液中的Tl的添加数量。
搜索关键词：	半导体集成电路器件制造方法
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【主权项】：

一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)使用添加有铊的基于非氰的Au电镀溶液，通过电解电镀，在半导体晶片的第一主表面之上形成使用Au作为主要成分的基于Au的凸块电极，其中所述步骤(a)包括以下子步骤：(a1)开始向所述Au电镀溶液中施加第一电镀电流；(a2)在所述子步骤(a1)之后，完成所述第一电镀电流的施加；以及(a3)在所述子步骤(a1)和(a2)期间的任何时段，通过监测向所述Au电镀溶液施加的电压来监测所述Au电镀溶液中的铊添加数量。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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