[发明专利]一种p型CdS纳米线的制备方法无效
| 申请号： | 201010555495.6 | 申请日： | 2010-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101979723A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 王春瑞;蔡俊晟;徐靖;王洪云;叶茂林 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C30B29/50 | 分类号： | C30B29/50;C30B29/62;C30B23/00;H01L31/0296 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种p型CdS纳米线的制备方法，包括：(1)将CdS粉末和Sn粉末按质量比2～4∶1混合置于管式炉的三氧化二铝舟上，以p型硅基片为衬底，放入原材料下风方向的三氧化二铝舟中；(2)持续抽真空控制炉内压力为200～300Torr，同时通入流量为50～100sccm的氩气；(3)控制反应管中央温度为800～900℃，保温2～4h后，自然冷却至室温，即得。本发明制备工艺简单易行，采用一步法即可完成，重复性好，克服了p型CdS纳米线制备的困难且稳定性好；所得产物有望大大推进基于CdS纳米线光电器件的发展，特别是有望解决宽带隙II-VI半导体材料p型掺杂的技术难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cds 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种p型CdS纳米线的制备方法，包括：(1)将CdS粉末和Sn粉末按质量比2～4∶1混合置于管式炉的三氧化二铝舟上，以p型硅基片为衬底，放入原材料下风方向的三氧化二铝舟中；(2)持续抽真空控制炉内压力为200～300Torr，同时通入流量为50～100sccm的氩气；(3)控制反应管中央温度为800～900℃，保温2～4h后，自然冷却至室温，即得。
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