[发明专利]钨掺杂的纳米晶二氧化钛半导体薄膜及其制备方法和应用

摘要

本发明属于光电化学和光伏技术领域，具体为一种钨掺杂的纳米晶二氧化钛半导体薄膜及其制备方法与应用。本发明首先将钨酸溶液加入到异丙氧钛在水中，经处理得到钨掺杂二氧化钛胶体，然后通过水热法形成纳米晶薄膜。钨掺杂后可以调控二氧化钛的导带能级，使之与染料的激发态能级更好的匹配。利用该纳米晶薄膜组装染料敏化太阳电池，可显著提高电池的短路光电流和电子寿命，从而使能量转化效率大幅提高。该发明可以弥补某些染料与二氧化钛导带能级不匹配的缺点，具有很强的应用前景。

主权项

一种钨掺杂的纳米晶二氧化钛半导体薄膜，其特征在于该纳米晶半导体薄膜中，钨、钛含量的质量比为：0 < W/Ti < 25 %，纳米晶粒径范围为5‑50 nm，薄膜厚度为2‑20 μm，无色透明或白色。