[发明专利]相变存储器的制作方法有效
| 申请号： | 201010550137.6 | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102468435A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 何其旸;张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供相变存储器的制作方法，包括：提供形成有层间介质层的半导体衬底，该层间介质层内形成有底部电极；在该层间介质层表面形成引导层，该引导层内形成有与所述底部电极对应的引导层开口；在所述引导层表面及部分引导层开口内形成掩膜层，所述引导层开口内的所述掩膜层之间具有宽度为10～50纳米的间隙，所述间隙露出下方的层间介质层；以所述掩膜层为掩膜，沿所述间隙刻蚀所述层间介质层，在该层间介质层内形成接触孔，该接触孔露出下方的底部电极；去除所述掩膜层和所述引导层；在所述层间介质层表面形成相变层，位于接触孔以外的相变层作为顶部电极。本发明形成的顶部电极与底部电极的接触面积小，减小了相变存储器的相变电流。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有底部电极；在所述层间介质层表面形成引导层，所述引导层内形成有引导层开口，所述引导层开口的位置与所述底部电极的位置对应；在所述引导层表面及部分引导层开口内形成掩膜层，所述引导层开口内的所述掩膜层之间具有间隙，所述间隙露出下方的层间介质层，所述间隙的宽度范围为10～50纳米；以所述掩膜层为掩膜，沿所述间隙刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层内形成接触孔，所述接触孔露出下方的底部电极；去除所述掩膜层和所述引导层；在所述层间介质层表面形成相变层，位于所述接触孔以外的相变层作为顶部电极。
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