[发明专利]一种低能耗低成本的氮化硅粉末制备方法无效
| 申请号： | 201010548900.1 | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102030536A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 闻本良 | 申请（专利权）人： | 宁波华标特瓷采油设备有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/626 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 翁霁明 |
| 地址： | 315503 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种低能耗低成本的氮化硅粉末制备方法，该方法是：利用硅粉直接氮化法原理进行氮化合成反应，氮化反应是在氮化炉中进行的，氮化炉内的温度由炉壁内的发热体和控温系统来调节；主要由如下步骤：一是直接氮化合成反应，选用99.99%的单晶硅粉粉末作为原料，将原料在氮化炉中1250℃下煅烧、保温30-38h，保温过程中通入N2的流量为4L/min的氮化条件下进行；二是将煅烧得到氮化硅粉料进行球磨、酸洗等后处理，获得纯度高达99.99%的Si3N4粉体；它具有：（1）反应迅速：一般在38-40h内完成合成反应；（2）耗能低，直接氮化温度比传统的低；（3）设备简单、投资小、通用性强；（4）氮化活性高，制备时间较短。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能耗 低成本 氮化 粉末 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低能耗低成本的氮化硅粉末制备方法，该方法是：利用硅粉直接氮化法原理进行氮化合成反应，氮化反应是在氮化炉中进行的，氮化炉内的温度由炉壁内的发热体和控温系统来调节；其特征在于：一是直接氮化合成反应，选用99.99%的单晶硅粉粉末作为原料，将原料在氮化炉中1250℃下煅烧、保温30‑38h，保温过程中通入N2流量为4L/min的氮化条件下进行；二是将煅烧得到氮化硅粉料进行球磨、酸洗等后处理，获得纯度高达99.99%的Si3N4 粉体。
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