[发明专利]半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制作方法，该方法在栅极结构和侧壁层上方的第一介质层和第二介质层之间增加了自对准停止层。采用本发明公开的方法避免了栅极上方的接触孔被刻蚀至其下方的金属硅化物或栅极中，因此避免了制成的半导体器件产生漏电流。

主权项

一种半导体器件的制作方法，在半导体衬底上形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层覆盖半导体衬底表面的栅极结构、栅极结构两侧的侧壁层以及半导体衬底表面中未被栅极结构、栅极结构两侧的侧壁层覆盖的区域，该方法还包括：在刻蚀停止层之上形成第一介质层，所述第一介质层的表面与半导体衬底表面的距离小于预设距离；在所述第一介质层之上形成自对准停止层，对所述自对准停止层进行刻蚀，刻蚀后的自对准停止层覆盖半导体衬底上的栅极结构以及栅极结构两侧的侧壁层；沉积第二介质层，沉积后的第二介质层的表面与半导体衬底表面的距离等于所述预设距离；依次对所述第二介质层、所述第一介质层和所述刻蚀停止层进行刻蚀，在所述第二介质层、所述第一介质层和所述刻蚀停止层中形成接触孔。