[发明专利]一种大高宽比衍射光学元件的制作方法有效
| 申请号： | 201010544430.1 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102466967A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 谢常青;李海亮;史丽娜;朱效立;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;G02B5/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种大高宽比衍射光学元件的制作方法，该方法采用电子束直写制作X射线曝光掩模板，采用接触式曝光实现透射衍射光学元件的制作，在透射薄膜衬底面溅射电镀种子层，然后旋涂负性光刻胶，再次利用X射线曝光，并显影电镀刻蚀电镀种子层，进而形成大高宽比衍射光学元件。本发明利用电子束直写制备X射线光刻掩模，利用X射线进行两次曝光的方法，制备出高宽比可以达到10∶1衍射光学元件。这种方法具有稳定可靠、易于批量制备且与传统的光刻工艺兼容的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大高宽 衍射 光学 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种大高宽比衍射光学元件的制作方法，其特征在于，该方法采用电子束直写制作X射线曝光掩模板，采用接触式曝光实现透射衍射光学元件的制作，在透射薄膜衬底面溅射电镀种子层，然后旋涂负性光刻胶，再次利用X射线曝光，并显影电镀刻蚀电镀种子层，进而形成大高宽比衍射光学元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010544430.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种利用充值卡充值的方法、装置及系统
- 下一篇：一种高软化点沥青的制备方法
