[发明专利]一种在掩膜的边缘处实现纳米粒子表面诱导自组装的方法无效

专利信息
申请号: 201010539289.6 申请日: 2010-11-11
公开(公告)号: CN102020241A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 阮伟东;王旭;周铁莉;赵冰;宋薇;徐蔚青 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;B82Y40/00
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 张景林;刘喜生
地址: 130012 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明属于纳米结构制备技术领域,特别涉及一种在特定位点——掩膜的边缘处构筑聚电解质层,并且利用这些聚电解质的吸附特性进行纳米粒子组装的方法,即在特定位点——掩膜的边缘处实现表面诱导自组装的方法。包括模板的制备、在模板表面沉积聚电解质层、加入掩膜并除去模板、在掩膜的边缘进行组装等步骤。本发明提出了一种在特定的位点进行组装的方法,可以解决一些在微结构边缘处放置纳米粒子的困难。本发明对目前以光刻技术和压印技术为主体的微、纳米加工技术是有利的补充,可以在微结构上以纳米粒子来镶边,从而丰富微结构的功能,对小型化和微型化器件的制备具有潜在的应用。
搜索关键词: 一种 边缘 实现 纳米 粒子 表面 诱导 组装 方法
【主权项】:
一种在掩膜的边缘处实现纳米粒子表面诱导自组装的方法,其步骤如下:(a)在基片上固定用于构筑微米或纳米结构的模板;(b)在模板上进行聚电解质层的沉积,聚电解质为聚二烯丙基二甲基铵氯;(c)在聚电解质层的表面固定掩膜,掩膜纳米粒子的粒径为10~100纳米,掩膜厚度与掩膜纳米粒子粒径相当;(d)除去由步骤(a)中引入的模板,在基片表面,原来有模板的区域裸露出来,原来没有模板的区域则保留聚电解质和掩膜纳米粒子的双层结构,同时在掩膜边缘处露出聚电解质层,从而得到双层结构与裸露基片表面交替排列的周期性结构;(e)通过静电相互作用在掩膜边缘处露出的聚电解质层上组装与掩膜纳米粒子不同种类的纳米粒子,从而在掩膜的边缘处实现纳米粒子表面诱导自组装。
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