[发明专利]一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器

摘要

本发明公开了一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器结构，由多个在半导体激光器外延片上刻蚀的脊形环相互耦合构成，由两个四分之一环耦合输出。该器件结构和工艺属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用不同结构环形激光器的不同Q值特性，相互耦合后光束Q值特性进一步提高，器件只需在前腔面镀腔面膜，后腔面不需要镀膜或只需镀层增透膜。该结构器件结构、制备工艺简单，成本低，能提高激光器的Q值，提高了器件效率，大幅改善器件输出光束质量。该技术方案适用于各种波长的、集成的环形半导体激光器。

主权项

一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器，包括衬底11、下限制层12、下波导层13、有源区14、上波导层15、上限制层16、环区1、环区2、环区3、直条区9，其特征在于，有源区14离p面表面的深度为1.4‑2.8微米，环区1、2、3、直条区9的宽度为4‑15微米，各环区宽度可以不相等，各环内半径为150‑300微米，各脊形环高为0.9‑3.2微米，8的宽度为2‑4微米，环区3通过两个四分之一圆环耦合到同一腔面端，在p面形成p面电极，经减薄、抛光后，在n面形成n面电极，合金、解理后，在出光腔面镀0.1‑25％反射率的腔面膜增透膜，非输出端腔面不镀膜或镀反射率小于15％的增透膜。