[发明专利]一种近场聚焦波束形成定位法有效

专利信息
申请号: 201010534438.X 申请日: 2010-11-03
公开(公告)号: CN101995574A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 曾雄飞;黄海宁;孙贵青;李峥 申请(专利权)人: 中国科学院声学研究所
主分类号: G01S15/02 分类号: G01S15/02;G01S15/89;G01S7/41
代理公司: 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 代理人: 杨小蓉;高宇
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种近场聚焦波束形成定位法,该方法基于扩展拖曳阵被动合成孔径方法先得到虚拟阵列各阵元接收的信号在所要处理的频带范围[fmin,fmax]内的频域响应,然后,利用近场聚焦波束形成定位法对目标进行精确定位;其中,频带范围[fmin,fmax]根据实际需要进行选取,只需满足fmin>0,fmax不大于数据采样率的一半即可。本发明将扩展拖曳阵被动合成孔径方法与近场聚焦波束形成定位方法有效地结合在一起,同时获取二者带来的好处。另外,波束形成运算在频域实现,将宽带信号分解为多个频点信号,对信号频带范围内的每个频点进行处理,最后将结果累加,处理性能如稳健性、分辨率等比直接在时域处理要更为优越。
搜索关键词: 一种 近场 聚焦 波束 形成 定位
【主权项】:
一种近场聚焦波束形成定位法,该方法基于扩展拖曳阵被动合成孔径方法先得到虚拟阵列各阵元接收的信号在所要处理的频带范围[fmin,fmax]内的频域响应,然后,利用近场聚焦波束形成定位法对目标进行精确定位;其中,频带范围[fmin,fmax]根据实际需要进行选取,只需满足fmin>0,fmax不大于数据采样率的一半即可。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院声学研究所,未经中国科学院声学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010534438.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top