[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010534243.5 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102468266A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 何伟业 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层以及贯穿所述介质层的开口；填充在所述开口内的铜布线层和铜合金层，所述铜合金层覆盖铜布线层；形成于所述介质层和铜合金层上的扩散阻挡层。本发明在铜布线层上形成了铜合金层，由于所述铜合金层与扩散阻挡层的粘附性较好，且所述铜合金层在受热情况下可析出合金的金属，所述合金金属与扩散阻挡层的粘附性大大优于铜与扩散阻挡层的粘附性，可防止铜原子沿铜合金层与扩散阻挡层的边界进行扩散和电迁移，进而防止铜布线层中出现空洞，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层以及贯穿所述介质层的开口；填充在所述开口内的铜布线层和铜合金层，所述铜合金层覆盖铜布线层；形成于所述介质层和铜合金层上的扩散阻挡层。
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