[发明专利]绝缘栅双极晶体管无效
| 申请号： | 201010530388.8 | 申请日： | 2010-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102064191A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 盛况;崔京京;郭清 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管，它的底部为集电极，向上依次集成集电区、缓冲层、漂移区、P阱区和发射区。发射区顶部覆盖有发射极，栅极9横跨在发射区、P阱区和漂移区之上，栅极处在多晶硅之中。SiO2绝缘层横向穿入漂移区或同时横向穿入P阱区和漂移区。本发明在普通绝缘栅双极晶体管的基础上，器件内部加入一层SiO2绝缘层，实现了在不损失绝缘栅双极晶体管关断电压的情况下降低通态压降，有效减少绝缘栅双极晶体管的通态电阻，使得绝缘栅双极晶体管导通损耗更小，本发明工业生产中工艺也并不复杂，相比于其他降低绝缘栅双极晶体管通态损耗的技术，更能节约生产成本，即以相对较低的成本提升绝缘栅双极晶体管的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，它的底部为集电极(1)，向上依次集成集电区(2)、缓冲层(3)、漂移区(4)、P阱区(6)和发射区(7)。发射区(7)顶部覆盖有发射极(8)，栅极(9)横跨在发射区(7)、P阱区(6)和漂移区(4)之上，栅极(9)处在多晶硅(10)之中。SiO2绝缘层(5)横向穿入漂移区(4)或同时横向穿入P阱区(6)和漂移区(4)。
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