[发明专利]固体摄像装置及其控制方法

摘要

一种固体摄像装置，包括第1扩散层、电位层、第2扩散层、第3扩散层和读出电极。第1扩散层形成于第1或第2导电型半导体区域表面，按照在距半导体区域表面第1深度的位置浓度为最大的方式掺杂，第1扩散层为第2导电型。电位层在半导体区域表面上按照在正下方设置第1扩散层的方式形成，设定为规定电位。第2扩散层中的至少一部分接触于第1扩散层，为第1导电型。第3扩散层在半导体区域表面内与第1扩散层隔开地形成。读出电极在第1扩散层和第3扩散层之间，形成于半导体区域。将电子累积于用作电荷累积部的第1扩散层时，形成距半导体区域表面和第1扩散层表面之间的界面的距离为第2深度的第1导电型电荷累积部，第2深度小于第1深度。

主权项

一种固体摄像装置，其特征在于，包括：第1导电型或第2导电型的半导体区域，该半导体区域具有：第1表面和与该第1表面相对的第2表面；第2导电型的第1扩散层，形成于该半导体区域的第1表面内，按照在距上述半导体区域表面为第1深度的位置浓度为最大值的方式进行掺杂，将通过从上述半导体区域的上述第2表面朝向上述第1表面照射的光而在该半导体区域内产生的电子累积于用作电荷累积部的上述第1扩散层时，形成距半导体区域表面和上述第1扩散层表面之间的界面的距离为第2深度的第1导电型的电荷累积层，该第2深度小于上述第1深度；第1导电型的第2扩散层，至少一部分与上述第1扩散层相接而形成；第2导电型的第3扩散层，形成于上述半导体区域的第1表面内，该第3扩散层在上述第1扩散层的与上述第2扩散层相反的一侧，形成于与上述第1扩散层隔开的位置；绝缘膜，形成于上述半导体区域的第1表面上；电位层，形成于与上述第1扩散层对应的上述绝缘膜上，该电位层被设定为规定的电位；读出电极，形成于位于上述第1扩散层和上述第3扩散层之间的上述绝缘膜上。