[发明专利]半导体元件与其制作方法有效
| 申请号： | 201010526212.5 | 申请日： | 2006-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102044566A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈尚志;黄世贤;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件与其制作方法。该半导体元件包含有一基底、一栅结构、至少一L形层与一间隙壁、以及一应力层。该栅结构设于该基底上，该L形层具有一第一脚边，沿着该栅结构延伸到一第一端点，以及一第二脚边，沿着该基底延伸到一第二端点。该间隙与该L形层的该第一脚边跟第二脚边相接触。该应力层具有内应力，覆盖在该栅结构、该L形层、该间隙壁以及该基底的部分区域，该应力层与该第一端点以及该第二端点相接触。本发明所述的半导体元件与其制作方法提高了元件内载流子移动率以及元件效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含有：一基底；至少一栅结构，设于该基底上，该栅结构包含一栅介电层以及一栅电极；至少一L形层，具有一第一脚边，与该栅电极接触，且沿着该栅电极延伸到一第一端点，以及一第二脚边，与该基底接触，且沿着该基底延伸到一第二端点，该L形层由一含金属的高介电常数材料所形成；至少一间隙壁，与该L形层的该第一脚边跟第二脚边相接触；以及一内应力层，覆盖在该栅结构、该L形层、该间隙壁以及该基底的部分区域，该内应力层与该L形层的该第一端点以及该第二端点相接触，该内应力层由一含金属的高介电常数材料所形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010526212.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型挤压式对辊造粒机
- 下一篇：一种造粒机
- 同类专利
- 专利分类
