[发明专利]相变随机存取存储器的存储单元有效
| 申请号： | 201010524974.1 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102456831A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 吴关平;徐成;刘燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变随机存取存储器的存储单元，包括：相变材料层和柱状同轴电极；柱状同轴电极包括位于柱状同轴电极的轴线位置的第一电极、嵌套在第一电极之外并与第一电极同轴的第二电极及填充在第一电极和第二电极之间的第一绝缘层；相变材料层与第一电极和第二电极的同一侧连接。本发明还公开了一种相变随机存取存储器，包括：控制电路、存储单元层、选通器件层和衬底。根据本发明的相变随机存取存储器的存储单元和相变随机存取存储器可以有效地降低相变随机存取存储器和使用相变随机存取存储器的电路的发热量和功耗。并经济地提高相变随机存取存储器和使用相变随机存取存储器的电路的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 随机存取存储器 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种相变随机存取存储器的存储单元，其特征在于，所述存储单元包括相变材料层和柱状同轴电极；所述柱状同轴电极包括位于所述柱状同轴电极的轴线位置的第一电极、嵌套在所述第一电极之外并与所述第一电极同轴的第二电极及填充在所述第一电极和所述第二电极之间的第一绝缘层；所述相变材料层与所述第一电极和所述第二电极的同一侧连接。
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