[发明专利]生产底部金属结晶化的低温多晶硅薄膜晶体管的方法无效
| 申请号： | 201010521163.6 | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102013400A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 赵大庸;柳济宣 | 申请（专利权）人： | 四川虹视显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 柯海军;武森涛 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及生产底部金属结晶化的低温多晶硅薄膜晶体管的方法，属于光电领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种生产底部金属结晶化的低温多晶硅薄膜晶体管的方法，该方法可以改善低温多晶硅薄膜晶体管的高漏电特性。本发明生产底部金属结晶化的低温多晶硅薄膜晶体管的方法，包括用等离子体增强化学气相沉积或化学气相沉积非晶硅薄膜层步骤，还包括用Ni原子单位蒸镀或溅射蒸镀Ni金属层步骤，其中，先用Ni原子单位蒸镀或溅射蒸镀Ni金属层，然后再用等离子体增强化学气相沉积或化学气相沉积非晶硅薄膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 底部 金属 结晶 低温 多晶 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
生产底部金属结晶化的低温多晶硅薄膜晶体管的方法，包括用等离子体增强化学气相沉积或化学气相沉积非晶硅薄膜层步骤，还包括用Ni原子单位蒸镀或溅射蒸镀Ni金属层步骤，其特征在于：先用Ni原子单位蒸镀或溅射蒸镀Ni金属层，然后再用等离子体增强化学气相沉积或化学气相沉积非晶硅薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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