[发明专利]一种高速半导体器件结构及其形成方法无效
| 申请号： | 201010520406.4 | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102054871A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 梁仁荣;王巍;王敬;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种高速半导体器件结构及其形成方法。该结构包括：衬底；形成在所述衬底之上的含Ge组分应变层，其中，所述含Ge组分应变层具有凹槽；形成在所述含Ge组分应变层之上的Si帽层；形成在所述Si帽层的一部分之上，且覆盖所述凹槽的T型栅结构；以及形成在所述T型栅结构两侧的源漏极。本发明实施例的PMOS器件结构中，通过在高Ge组分应变SiGe或应变Ge层上下设置的两个低Ge组分应变SiGe层或Si层，可以在高Ge组分应变SiGe或应变Ge层中产生空穴势阱，从而可以提高载流子的迁移率，极大地改善器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 半导体器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种高速半导体器件结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的含Ge组分应变层，其中，所述含Ge组分应变层具有凹槽；形成在所述含Ge组分应变层之上的Si帽层；形成在所述Si帽层的一部分之上，且覆盖所述凹槽的T型栅结构；以及形成在所述T型栅结构两侧的源漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010520406.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高压水冲洗装置
- 下一篇：绿色环保具备尼龙12特征的改性尼龙材料
- 同类专利
- 专利分类
