[发明专利]一种微纳深沟槽结构侧壁形貌快速测量方法及装置有效
| 申请号: | 201010519775.1 | 申请日: | 2010-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN102082108A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
| 发明(设计)人: | 刘世元;张传维;陈修国 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B11/24;G01B11/30 |
| 代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 曹葆青 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种微纳深沟槽结构侧壁形貌快速测量方法及装置,能够同时快速测量微纳深沟槽结构线宽、沟槽深度、侧壁角、侧壁粗糙度等侧壁形貌参数。步骤为:将波长为从近红外到中红外的光束经起偏后得到的椭圆偏振光投射到待测结构表面;采集待测结构表面零级衍射信号,计算得到微纳深沟槽结构测量红外椭偏光谱;采用分波长建模方法分别计算在近红外和中红外波段理论椭偏光谱,采用分步光谱反演方法与实验测量红外椭偏光谱匹配,依次提取出沟槽结构参数和粗糙度参数。装置包括红外光源、第一至第四离轴抛物镜、迈克尔逊干涉仪、平面反射镜、起偏器、样品台、检偏器、探测器和计算机;是一种非接触、非破坏性、低成本、快速侧壁形貌测量手段。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 深沟 结构 侧壁 形貌 快速 测量方法 装置 | ||
【主权项】:
一种微纳深沟槽结构侧壁形貌快速测量方法,其步骤包括:第1步将红外光束经起偏器起偏后,投射到包含深沟槽结构的待测物品表面,红外光束位于近红外至中红外波段范围内,波长为0.8~20um;第2步入射光束经沟槽结构各表面反射后,经检偏器检偏,采用红外探测器接收反射信号,得到干涉信号;第3步对红外探测器测量得到的干涉信号进行傅立叶变换,得到深沟槽结构的红外椭偏光谱;第4步采用分波长建模方法,分别计算深沟槽结构在近红外波段和中红外波段椭偏光谱,包括振幅比和相位差;第5步基于以上分波长建模方法,采用分步光谱反演方法依次提取沟槽结构参数和粗糙度参数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010519775.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:功率金氧半导体场效晶体管的制造方法
- 下一篇:一种光敏器件的封装工艺方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





