[发明专利]非易失性存储器的写入方法及使用此方法的控制器无效
| 申请号： | 201010517248.7 | 申请日： | 2007-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101976576A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 叶志刚;朱健华;傅家驿 | 申请（专利权）人： | 群联电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于非易失性存储器的写入方法，其中该非易失性存储器为一多层存储单元与非闪速存储器，并且该非易失性存储器的区块中分别包括一上页与一下页，该写入方法包括：在部分的所述区块中仅使用下页来写入数据，其中所述下页的写入速度快于所述上页的写入速度。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 写入 方法 使用 控制器 | ||
【主权项】：
一种用于非易失性存储器的写入方法，其中该非易失性存储器为一多层存储单元与非闪速存储器，并且该非易失性存储器的区块中分别包括一上页与一下页，该写入方法包括：在部分的所述区块中仅使用下页来写入数据，其中所述下页的写入速度快于所述上页的写入速度。
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