[发明专利]一种AZO减反射膜制备方法

摘要

一种AZO减反射膜制备方法，其特征在于采用射频磁控溅射设备，并在溅射气氛中加入还原性气体，明显改善AZO减反膜的电学及光学参数。本发明所制备的AZO减反射膜在面积为2片x125mmx125mm的基片面积上，可见光范围内平均透过率达90％以上，电阻率达4.4x10-4Ω·cm。本发明适用于太阳能电池顶层减反膜。

主权项

一种AZO减反射膜制备方法，其特征在于所述制备方法的工艺步骤顺序如下：(1)准备基片：选用厚度小于5mm的玻璃基片，首先用去离子水浸湿基片，在玻璃基片上喷中性洗涤剂，用毛刷刷洗玻璃基片的上表面和下表面；再用去离子水将中性洗涤剂冲洗干净，直至直视可观察到玻璃基片上表面和下表面“亲水”；然后将玻璃基片放入盛有去离子水的非金属容器中的玻璃基片支架上，去离子水液面高于非金属容器中玻璃基片位置；将非金属容器放在电炉上加热，直至去离子水沸腾，保持沸腾状态5分钟，然后将非金属容器从电炉上取下，倒掉去离子水，在非金属容器中注入新的去离子水，再加热至沸腾并保持5分钟，倒掉去离子水；再次注入去离子水、加热至沸腾、保持沸腾5分钟，倒掉离子水，此过程共循环5次；最后一次不必倒掉沸腾的去离子水，从热去离子水中将玻璃基片取出，用氮气吹干备用；(2)将清洗干净的所述的玻璃基片装入射频磁控溅射设备，并对射频磁控溅射设备抽真空；待真空度达到1x10‑4Pa时，打开射频磁控溅射设备的加热器对所述的玻璃基片加热，加热温度范围为室温～300℃；(3)将调整好比例的氩气和氢气混合气体通入溅射设备中，调整预溅射压强至5Pa左右；调整靶与所述的玻璃基片间间距为10cm；将位于所述的靶与所述的玻璃基片间的挡板挡上，防止预溅射时玷污玻璃基片；(4)打开磁控溅射设备射频电源，调整输出功率，功率范围为100W～300W；通过观察窗观察启辉后，调整压强值0.3Pa；在此条件下进行预溅射，预溅射时间为10分钟；(5)打开射频磁控溅射设备的小车匀速往复运动控制器，调整运动速度，使小车开始运动，小车的运动速度控制在0～300mm/min；(6)通过观察窗观察，在载有所述的玻璃基片小车未到达溅射靶位前，打开挡板；待载有玻璃基片小车到达溅射靶位前时，开始计时；此时开始制备AZO减反膜；(7)30分钟后关闭射频电源，关闭加热器电源，关闭气体，抽空剩余气体；待射频磁控溅射设备的温度降至室温后将基片取出，至此制备AZO减反膜工作完成。