[发明专利]一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管有效
| 申请号： | 201010515063.2 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101976687A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;姜贯军;余士江;邓光平;李婷;谢加雄;张超;任敏;刘小龙;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管，属于半导体器件技术领域。本发明提供的低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管具有一个结型场效应管区(4)和一个电子积累层结构(12)；所述结型场效应管区(4)由两个深P体区(5)和之间的N-外延层(3)构成；所述电子积累层结构(12)由两个N型重掺杂区(7)、N-外延层(3)和N-外延层(3)表面的栅氧化层(8)以及栅电极(9)构成。本发明利用金属氧化物半导体结构表面电场效应，正向电压时形成多子积累层而反向电压时形成多子耗尽层，可获得非常低的导通压降，同时可承受很高的反向击穿电压并且泄漏电流非常小，更好地实现了正向导通压降与反向恢复时间之间的折衷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 恢复 金属 氧化物 半导体 二极管 | ||
【主权项】：
一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管，包括金属化阴极(1)、N+衬底区(2)、N‑外延层(3)和金属化阳极(10)；金属化阴极(1)位于N+衬底区(2)背面，N‑外延层(3)位于N+衬底区(2)正面；其特征在于，所述低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管还包括一个结型场效应管区(4)和一个电子积累层结构(12)；所述结型场效应管区(4)由位于N‑外延层(3)中相同深度的两个深P体区(5)和两个深P体区(5)之间的N‑外延层(3)构成，两个深P体区(5)分别通过一个P型重掺杂区(6)与金属化阳极(10)相连；所述电子积累层结构(12)位于两个深P体区(5)上方的两个P型重掺杂区(6)之间的N‑外延层(3)中，由两个N型重掺杂区(7)、一个栅氧化层(8)、栅电极(9)和N‑外延层(3)构成；所述两个N型重掺杂区(7)与金属化阳极(10)相连；所述栅氧化层(8)位于两个N型重掺杂区(7)之间的N‑外延层(3)表面，所述栅电极(9)位于栅氧化层(8)表面并与金属化阳极(10)相连。
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