[发明专利]氮化物半导体部件及其制造工艺有效
| 申请号： | 201010514762.5 | 申请日： | 2007-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102064091A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 阿明·戴德加;阿洛伊斯·克罗斯特 | 申请（专利权）人： | 阿祖罗半导体股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李昕巍 |
| 地址： | 德国马*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化物半导体部件及其制造工艺。一种用于在硅表面上制造氮化物半导体部件的层结构的工艺包括步骤：提供具有硅表面的衬底；其中所述提供衬底的步骤包括提供厚度至少为DGaN×x的硅衬底，其中，DGaN表示要在所述衬底上淀积的氮化物半导体层的层厚度，或者如果将要淀积多于一个氮化物半导体层，其表示将要在所述衬底上淀积的氮化物半导体层的层厚度以及所存在的氮化物中间层的层厚度之和，并且其中，在采用掺杂硅衬底的情况下，x是110，在采用未掺杂衬底的情况下，x是200。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 部件 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于在硅表面上制造氮化物半导体部件的层结构的工艺，包括步骤：‑提供具有硅表面的衬底；‑其中所述提供衬底的步骤包括提供厚度至少为DGaN×x的硅衬底，其中，DGaN表示要在所述衬底上淀积的氮化物半导体层的层厚度，或者如果将要淀积多于一个氮化物半导体层，其表示将要在所述衬底上淀积的氮化物半导体层的层厚度以及所存在的氮化物中间层的层厚度之和，并且其中，在采用掺杂硅衬底的情况下，x是110，在采用未掺杂衬底的情况下，x是200。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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