[发明专利]用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜及其制备方法，该氧化物半导体薄膜材料成分为：(Al2O3)x(Nd2O3)y(In2O3)z(ZnO)(1-x-y-z)，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1，0＜1-x-y-z＜1，该氧化物半导体薄膜材料用于制作薄膜晶体管的有源层。这种氧化物半导体薄膜可以用溅射方法制备。本发明的氧化物半导体薄膜具有载流子迁移率高、稳定性好、可以透射可见光等优点，这种氧化物半导体薄膜可以用于制备薄膜晶体管，包括所发明的氧化物半导体薄膜的晶体管可以应用在有机发光显示(OLED)、液晶显示(LCD)、电子纸显示等驱动方面，还可以应用在集成电路领域。

主权项

一种用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜，其特征在于：该氧化物半导体薄膜材料成分为：(Al2O3)x(Nd2O3)y(In2O3)z(ZnO)(1‑x‑y‑z)，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1，0＜1‑x‑y‑z＜1，该氧化物半导体薄膜材料用于制作薄膜晶体管的有源层。