[发明专利]一种多晶硅还原炉用氮化硅陶瓷环的制备方法有效
| 申请号： | 201010512995.1 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101962297A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 邹景良;丁艳;张伟儒;李新 | 申请（专利权）人： | 北京中材人工晶体研究院有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 100018 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅还原炉用氮化硅陶瓷环的制备方法，包括以下步骤：称取各种原料，于介质中搅拌得到混合均匀的浆料；浆料经干燥后造粒，制成基料；压制成型，制成坯体；通过车床或磨床加工成预制的形状和尺寸；将加工后的坯体置于气氛压力烧结炉进行烧结；对烧制成品进行精细加工，即得陶瓷环成品。本发明的有益效果是：该氮化硅陶瓷环，绝缘性好、韧性高、耐高温和抗震性好，能够延长其使用寿命，添加的烧结剂有助于致密化；能满足多晶硅还原炉的环境使用要求，使用寿命长，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 还原 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅还原炉用氮化硅陶瓷环的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1）按以下重量百分比称取各原料：氮化硅粉料75%～95%，烧结助剂5%～25%，加入研磨剂和研磨介质，研磨搅拌4～40小时，得到混合均匀的浆料，所述浆料的含量为20～40%；2）将浆料置入烘干设备，于60～120℃，干燥2～10小时后，经冷等静压机冷等静压造粒后，得到平均粒径为20～300μm的基料；3）将基料经干压成型或冷等静压压制成型，得到坯体；4）将得到的坯体车床或磨床加工成预制的形状或尺寸； 5）将加工后的坯体，先于烘箱中干燥12～36小时，再置于气氛压力烧结炉进行烧结；6）再对烧制成品进行精细加工，即得陶瓷环成品。
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