[发明专利]一种存储器及使用该存储器的方法有效
申请号: | 201010512864.3 | 申请日: | 2010-10-08 |
公开(公告)号: | CN102446556A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 洪俊雄;洪硕男;刘增毅 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种存储器及使用该存储器的方法,该存储器是与非门存储器,包括一控制电路施加一读取偏压配置至该多条字线以通过测量流经介于该串联的存储单元的该第一端与该第二端之间的电流而读取储存于该多个存储单元中的一选取数据值,其中该读取偏压配置施加至该多条字线的字线仅施加小于该第二阈值电压分布的该第二最大值的字线电压。 | ||
搜索关键词: | 一种 存储器 使用 方法 | ||
【主权项】:
一种存储器,其特征在于,包含:多个存储单元串联安排于一半导体主体中,该串联的存储单元具有一第一端及一第二端,该多个存储单元中的存储单元具有一阈值电压,该阈值电压是与一第一数据值相关的一第一阈值电压分布及与一第二数据值相关的一第二阈值电压分布两者之一,该第一阈值电压分布具有一第一最小值及一第一最大值,且该第二阈值电压分布具有一第二最小值及一第二最大值,该第一阈值电压分布是较该第二阈值电压分布为低的阈值电压分布;多条字线,该多条字线中的字线与该多个存储单元中对应的存储单元耦接;控制电路,与该多条字线耦接,其中该控制电路施加一读取偏压配置至该多条字线以通过测量流经介于该串联的该第一端与该第二端之间的电流而读取储存于该多个存储单元中的一选取数据值,其中该读取偏压配置施加至该多条字线的字线仅施加小于该第二阈值电压分布的该第二最大值的字线电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010512864.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高速电机用钕铁硼磁体
- 下一篇:一种烟草废弃物资源化综合处理工艺