[发明专利]成膜装置,匹配器以及阻抗控制方法有效
| 申请号: | 201010510429.7 | 申请日: | 2006-01-24 |
| 公开(公告)号: | CN102031504A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
| 发明(设计)人: | 松田聪;浅原裕司;山越英男;后藤征司 | 申请(专利权)人: | 三菱重工食品包装机械株式会社;麒麟麦酒株式会社 |
| 主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;H05H1/46 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 胡金珑 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供成膜装置,匹配器以及阻抗控制方法。用于实现避免在紧接等离子体着火后发生的以负荷阻抗的急剧变化为起因的等离子的消失的阻抗控制。本发明的成膜装置包括:包括:电源;匹配电路;电极,经由所述匹配电路从所述电源接收电力,通过所述电力在容纳成膜对象的成膜室的内部产生等离子体;以及控制单元,控制所述匹配电路的阻抗,所述控制单元,在从所述电源向所述电极开始提供所述电力的第1时刻开始的第1期间内将所述匹配电路的阻抗保持一定,在从所述第1期间结束的第2时刻开始的第2期间内,响应来自所述电极的反射波电力而控制所述匹配电路的阻抗。 | ||
| 搜索关键词: | 装置 配器 以及 阻抗 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,包括:电源;匹配电路;电极,经由所述匹配电路从所述电源接收电力,通过所述电力在容纳成膜对象的成膜室的内部产生等离子体;以及控制单元,控制所述匹配电路的阻抗,所述控制单元,在从所述电源向所述电极开始提供所述电力的第1时刻开始的第1期间内将所述匹配电路的阻抗保持一定,在从所述第1期间结束的第2时刻开始的第2期间内,响应来自所述电极的反射波电力而控制所述匹配电路的阻抗。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





