[发明专利]形成互连沟槽以及通孔的方法及形成互连结构的方法有效
| 申请号： | 201010509393.0 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102446815A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;李凡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/26;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种形成互连沟槽以及通孔的方法以及形成互连结构的方法，形成互连沟槽以及通孔包括：提供基底，所述基底上形成有具有铜插栓的介质层，所述铜插栓上形成有帽层；在所述具有铜插栓的介质层的表面以及所述帽层的表面上形成刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上形成介质层；在所述介质层形成互连沟槽以及通孔；用酸清洗所述互连沟槽以及通孔；干法刻蚀去除覆盖在所述帽层表面上的刻蚀停止层。之后，用紫外线照射所述互连沟槽以及通孔；将所述互连沟槽以及通孔处于臭氧气体以及水蒸气氛围中；用有机溶剂清洗所述互连沟槽以及通孔。本发明的方法不会腐蚀帽层，而且可以修复损伤的介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 互连 沟槽 以及 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种形成互连沟槽以及通孔的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有具有铜插栓的介质层，所述铜插栓上形成有帽层；在所述具有铜插栓的介质层的表面以及所述帽层的表面上形成刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上形成介质层；在所述介质层形成互连沟槽以及通孔；用酸清洗所述互连沟槽以及通孔；干法刻蚀去除覆盖在所述帽层表面上的刻蚀停止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
