[发明专利]待刻蚀层的刻蚀速率分布曲线的数据库、形成及使用方法有效
| 申请号： | 201010509280.0 | 申请日： | 2010-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102456078A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种待刻蚀层的刻蚀速率分布曲线的数据库，包括在以下刻蚀条件下形成的多条第一曲线，所述第一曲线为所述待刻蚀层上各点的刻蚀速率随各点离待刻蚀层的中心距离不同而形成的分布曲线，所述刻蚀条件为：在刻蚀机台底电极板的中心温度和边缘温度相同的情况下，分别进行中心进气、边缘进气和均等进气。采用本发明的数据库可以解决整个晶片上材料层厚度不均匀的问题，改善半导体器件电学性质，提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 速率 分布 曲线 数据库 形成 使用方法 | ||
【主权项】：
一种待刻蚀层的刻蚀速率分布曲线的数据库，包括在以下刻蚀条件下形成的多条第一曲线，所述第一曲线为所述待刻蚀层上各点的刻蚀速率随各点离待刻蚀层的中心距离不同而形成的分布曲线，所述刻蚀条件为：在刻蚀机台底电极板的中心温度和边缘温度相同的情况下，分别进行中心进气、边缘进气和均等进气。
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