[发明专利]一种金属栅极的形成方法有效
| 申请号： | 201010508957.9 | 申请日： | 2010-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102446726A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 吕伟;刘武平;张北超;倪景华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种金属栅极形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有替代栅结构，所述替代栅结构包括依次位于衬底上的替代栅介质层和替代栅电极层；形成覆盖所述替代栅极结构的牺牲介质层，所述牺牲介质层侧边与衬底不垂直，所述侧边的厚度沿着所述替代栅电极层增加；在替代栅极结构两侧形成源极、漏极；形成覆盖所述衬底和替代栅极结构的层间介质层，并进行平坦化处理；去除所述替代栅极结构和牺牲介质层，形成开口，所述开口具有倒梯形形状；填充所述开口，形成金属栅结构。利用本发明所提供的金属栅极形成方法可以有效改进半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 栅极 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底表面形成替代栅结构，所述替代栅结构包括依次位于衬底表面的替代栅介质层和替代栅电极层；形成覆盖所述替代栅极结构的牺牲介质层，所述牺牲介质层侧边与衬底不垂直，所述侧边的厚度沿着所述替代栅电极层增加；在替代栅极结构两侧形成源极、漏极；形成覆盖所述衬底和替代栅极结构的层间介质层，并进行平坦化处理；去除所述替代栅极结构和牺牲介质层，形成开口，所述开口具有倒梯形形状；填充所述开口，形成金属栅结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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