[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的氧化处理工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的氧化处理工艺，包括如下步骤：(1)升温干氧预氧化：将硅片推入氧化管中，升温至850～900℃，通入干氧，进行氧化反应，在硅片表面生成一层二氧化硅层；反应时间为100～600s；(2)高温掺氯氧化：继续通入干氧，升温至900～950℃，通入三氯乙烷，持续1500～2500s；(3)恒温推进氧化：保持步骤(2)的温度，停止通三氯乙烷，继续通入干氧，持续300～800s；(4)降温，停止通干氧，将硅片退出氧化管。本发明氧化处理工艺大大缩短了整个工艺的处理时间，避免了长时间的氧化处理带来的浪费资源、产能降低等问题，具有积极的现实意义。

主权项

一种晶体硅太阳能电池的氧化处理工艺，其特征在于，包括如下步骤：(1)升温干氧预氧化：将硅片推入氧化管中，升温至850～900℃，通入干氧，进行氧化反应，在硅片表面生成一层二氧化硅层；反应时间为100～600s，干氧流量为8～30L/min；(2)高温掺氯氧化：继续通入干氧，升温至900～950℃，通入三氯乙烷，携带三氯乙烷的氮气流量为0.5～2.5L/min，干氧流量为8～30L/min，持续1500～2500s；(3)恒温推进氧化：保持步骤(2)的温度，停止通三氯乙烷，继续通入干氧，持续300～800s；干氧流量为8～30L/min；(4)降温，停止通干氧，将硅片退出氧化管。