[发明专利]一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201010506129.1 | 申请日： | 2010-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102074577A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 艾玉杰;郝志华;黄如;浦双双;樊捷闻;孙帅;王润声;许晓燕 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/08;H01L21/336;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内部填充有介质材料。与常规的垂直结构Si台场效应晶体管相比，本发明的圆环结构场效应晶体管可有效抑制短沟效应，达到改善器件性能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 沟道 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直沟道场效应晶体管，其特征在于，其沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内部填充有介质材料。
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