[发明专利]一种存储器及其使用方法有效
申请号: | 201010505165.6 | 申请日: | 2010-10-09 |
公开(公告)号: | CN102446555A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 洪俊雄;洪硕男;刘增毅 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种存储器及其使用方法,该存储器是关于许多与非门存储器,其包括具有许多不同版本的高阈值电压分布-一版本具有降低的最大值及另一版本,具有降低最大值的版本具有一降低的字线导通电压。利用本发明,有效地解决了与非门非易失性存储器中读取干扰的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 存储器 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
一种存储器,其特征在于,包含:多个存储单元串联安排于一半导体主体中,该串联的存储单元具有一第一端及一第二端,该多个存储单元中的存储单元具有一阈值电压,该阈值电压是与一第一数据值相关的一第一阈值电压分布及与一第二数据值相关的一第二阈值电压分布两者之一,该第一阈值电压分布是较该第二阈值电压分布为低的阈值电压分布;多条字线,该多条字线中的字线与该多个存储单元中对应的存储单元耦接;控制电路,与该多条字线耦接,该控制电路具有多组的指令,包括:第一组指令包括编程与读取指令,该第一组指令对应于与该第二数据值相关的该第二阈值电压分布的一第一版本,该第二阈值电压分布的该第一版本具有一第一版本分布最大值;以及第二组指令包括编程与读取指令,该第二组指令对应于与该第二数据值相关的该第二阈值电压分布的一第二版本,该第二阈值电压分布的该第二版本具有一第二版本分布最大值,其中该第一版本分布最大值大于该第二版本分布最大值。
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