[发明专利]发光二极管结构及其制作方法无效
申请号: | 201010504947.8 | 申请日: | 2010-10-09 |
公开(公告)号: | CN102447016A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 朱长信;余国辉 | 申请(专利权)人: | 佛山市奇明光电有限公司;奇力光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/38 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 528237 广东省佛山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管结构及其制作方法。该发光二极管结构包含基板、发光外延结构、第一与第二电性接触层、透明绝缘层、第一与第二反射层、第一与第二阻障层、及第一与第二电性电极。第一与第二电性接触层分别位于发光外延结构的第一与第二电性半导体层上。透明绝缘层覆盖在发光外延结构、第一与第二电性接触层上。透明绝缘层包含第一与第二接触窗分别暴露出第一与第二电性接触层。第一及第二反射层分别覆盖在第一与第二接触窗上,且延伸在透明绝缘层上。第一与第二阻障层分别覆盖在第一与第二反射层上。第一与第二电性电极分别位于第一与第二阻障层上且填满第一与第二接触窗。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管结构,包含:基板;发光外延结构,包含:第一电性半导体层,位于该基板上;发光层,位于该第一电性半导体层的第一部分上,且暴露出该第一电性半导体层的第二部分;以及第二电性半导体层,位于该发光层上,且与该第一电性半导体层具有不同电性;第一电性接触层,位于该第一电性半导体层的该第二部分上;第二电性接触层,位于该第二电性半导体层上;透明绝缘层,覆盖在该发光外延结构、该第一电性接触层与该第二电性接触层上,且具有一表面,其中该透明绝缘层包含第一接触窗与第二接触窗分别暴露出部分的该第一电性接触层与部分的该第二电性接触层;第一反射层,延伸覆盖在该第一接触窗与该透明绝缘层的该表面的一部分上;第二反射层,延伸覆盖在该第二接触窗与该透明绝缘层的该表面的另一部分上;第一电性电极,位于该第一反射层上且填满该第一接触窗;以及第二电性电极,位于该第二反射层上且填满该第二接触窗。
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