[发明专利]发光二极管芯片无效
| 申请号： | 201010503014.7 | 申请日： | 2010-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102446947A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 吴治平;张木荣;傅希全 | 申请（专利权）人： | 北京吉乐电子集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片，包括：第一层第一导电类型半导体，形成于衬底上；第一发光层，形成于所述第一层第一导电类型半导体上；形成于所述第一发光层上的第二层第一导电类型半导体和第二层第二导电类型半导体，所述第二层第一导电类型半导体和第二层第二导电类型半导体横向连接；第二发光层，形成于所述第二层第一导电类型半导体和第二层第二导电类型半导体上；第三层第二导电类型半导体，形成于所述第二发光层上。本发明能实现在一个芯片内发出多种颜色的光，还能实现不需荧光粉就能发出白光。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：第一层第一导电类型半导体，形成于衬底上；第一发光层，形成于所述第一层第一导电类型半导体上；形成于所述第一发光层上的第二层第一导电类型半导体和第二层第二导电类型半导体，所述第二层第一导电类型半导体和第二层第二导电类型半导体横向连接；第二发光层，形成于所述第二层第一导电类型半导体和第二层第二导电类型半导体上；第三层第二导电类型半导体，形成于所述第二发光层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
