[发明专利]半导体器件

摘要

本发明是一种半导体器件，以双极高耐压垂直式PNP工艺为基础，以高耐压、低导通电阻特性的二极管形成串联二极管群。将串联二极管群并联两个予以连接而形成桥接，以构筑一种没有因寄生晶体管等所导致的漏泄电流的高效率全波整流电路。通过电极(AC1)将以P型半导体衬底(1)做为阳极并以N型埋入层(2)做为阴极的二极管及以P+型导电层(8)做为阳极并以N型外延层(5)做为阴极的二极管予以串联连接而形成串联二极管群。这时，形成N+型埋入层(3)及N+型导电层(7)，即使在对电极(AC1)施加有大的正电压的情形也能防止N+型埋入层(3)的电位较P+型埋入层(4)的电位低，而能防止将P+型埋入层(4)、N+型埋入层(3)、及P型半导体衬底(1)分别做为射极、基极、集极的寄生PNP晶体管的导通。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具备有：第二导电型的第一埋入层，形成于第一导电型半导体衬底；第二导电型的第二埋入层，形成于所述第一埋入层内；第一导电型埋入层，形成于所述第二埋入层内；第二导电型的外延层，形成于所述第一导电型半导体衬底上；第二导电型导电层，贯通所述外延层，并与所述第二埋入层的端部重叠而形成；第一导电型导电层，贯通所述外延层，并与所述第一导电型埋入层的端部重叠而形成；形成于与所述第一导电型导电层邻接的所述外延层的第二导电型接触层；形成于所述第二导电型导电层的第二导电型接触层；第一电极，将所述第一导电型导电层及形成于所述第二导电型导电层的所述第二导电型接触层电性连接；第二电极，与形成于所述外延层的第二导电型接触层电性连接；以及第一导电型的分离层，用以分离所述外延层；通过所述第一电极将以所述第一导电型半导体衬底做为阳极并以所述第二导电型的第一埋入层做为阴极的二极管、以及以所述第一导电型导电层做为阳极并以所述第二导电型外延层做为阴极的二极管予以串联连接，而构成串联连接二极管群。