[发明专利]一种光电催化薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201010298601.7 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102437209A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 李晓洁;赵伟;王志勇 | 申请（专利权）人： | 新奥科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18;B01J23/745 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柳春琦 |
| 地址： | 065001 河北省廊坊市*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电催化薄膜及其制备方法。所述光电催化薄膜包括：导电衬底；以及，层压在所述导电衬底的一侧上的一层或多层的二氧化钛层和一层或多层的三氧化二铁层，其中所述二氧化钛层和所述三氧化二铁层是彼此交替布置的，并且最靠近导电衬底的层是二氧化钛层，最远离导电衬底的层是三氧化二铁层。本发明的制备方法是一种由溶胶-凝胶法和化学气相沉积法相结合的制备方法。本发明的光电催化薄膜能够显著提高薄膜与衬底的粘结性，显著提高其光电催化活性，并且将其光响应拓展到了可见光范围，从而能够更加充分地利用太阳能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 催化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光电催化薄膜，所述光电催化薄膜包括：导电衬底；以及，层压在所述导电衬底的一侧上的一层或多层的二氧化钛层和一层或多层的三氧化二铁层，其中所述二氧化钛层和所述三氧化二铁层是彼此交替布置的，并且最靠近导电衬底的层是二氧化钛层，最远离导电衬底的层是三氧化二铁层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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